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    單向可控硅的條件和注意事項是什么?

    • 分類:行業新聞
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    • 發布時間:2022-08-18
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    晶管的條件并不難。一是電壓必須加在Aode和陰極之間,二是控制器也必須在方向上加電壓。以上兩個條件必須同時具備,二氧化硅才能分流。另外,一旦晶體管導通,即使降低控制極電壓或者去除控制極電壓,晶體管仍然導通,那么單向可控硅的條件和注意事項是什么?

    單向可控硅的條件和注意事項是什么?

    [Summary]晶管的條件并不難。一是電壓必須加在Aode和陰極之間,二是控制器也必須在方向上加電壓。以上兩個條件必須同時具備,二氧化硅才能分流。另外,一旦晶體管導通,即使降低控制極電壓或者去除控制極電壓,晶體管仍然導通,那么單向可控硅的條件和注意事項是什么?

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     單向可控硅的條件和注意事項是什么?


    晶管的條件并不難。一是電壓要加在Aode和陰極之間,二是控制器也要在方向上加電壓。以上兩個條件要同時具備,二氧化硅才能分流。另外,一旦晶體管導通,即使降低控制極電壓或者去除控制極電壓,晶體管仍然導通,那么單向可控硅的條件和注意事項是什么?

    單向可控硅

    單向可控硅的條件和注意事項是什么?


    1.硅切割條件:降低或消除陽極到陰極之間的正向電壓,使陽極電流低于很小維持電流。


    2.單向甲狀腺針區分從封裝形狀可以區分出晶體管的一些引腳。如果外殼是陽極,陰極引線比控制線長。不能從形狀判斷的視覺,可以用萬用表R 100或R 1K測量硅的兩腳之間的正反電阻。示波器期間),黑色面筆控制極G,紅色寫字板接陰極C,剩下的管是陽極a。


    3.單向硅性能測試晶管的判斷可以從四個方面進行。首先是三個PNS要完整;然后是當陰極和陽極之間的電壓可以被阻斷而不被驅動時;第三是控制陽極和陰極之間的電壓。四是控制大電流。當陰極和陽極區域被加上正向電壓時,硅應該被打開。除去控制極電流,仍處于多樣化狀態。


    4.晶體管極性電阻的前三個方面可以用萬用表歐姆檔判斷。具體方法是用R 1K或R 10K(控制電壓)測試正負電極間的正、反向電阻。這兩個阻力應該很大。電阻值越大,正負漏電流越小。如果測得的電阻很低,或者接近無限大,說明甲狀腺控制已經被穿透或打開,甲狀腺控制無法使用。


    5.用R 1K或者R 10K,陽極和控制極之間的電阻應該在幾十萬歐以上。如果電阻值小,說明硅擊穿短路,用R 1K或R 100測量極性與陰極之間PN結的正、反向電阻。如果正電阻值接近零或無窮大,說明控制極和陰極之間的PN結已經損壞。反向電阻一定要大,但不能無限大。正常情況是反向電阻值明顯大于正向電阻值。


    6.萬用表選擇電阻R 1檔,紅色表筆還是負值。此時,紅色工作臺與陰極相連。黑色平板用于在不打開陽極的情況下控制儀器的電極。此時,指針的萬用表電阻應向右偏轉。比如陽極接黑面,陰極紅面筆,萬用表指針偏,說明單向晶管已經被擊穿。


    使用單向可控硅的預防措施是什么?


    選擇晶體管的額定電壓時,參考實際工作條件下的峰值電壓,并留有一定的余量。


    1.在選擇晶體管的額定電流時,除了要考慮元件的平均電流外,還要注意角度的大小以及正常工作時的散熱通風等因素。注意工作時管殼的溫度在相應的電流下是允許的。


    2.使用甲狀腺控制前,用萬用表檢查甲狀腺控制是否良好。當發生短路或斷路時,應立即更換。


    3.嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣。


    4.電流為5 A的要配備散熱器,并確保規定的冷卻條件。為了確保散熱器暴露在硅的中心,他們應該涂上一層薄薄的有機硅油或硅脂,以幫助良好的散熱。


    5.主電路中的過寫和過流保護裝置按規定使用。


    6.防止甲狀腺控制的正向過載和反向擊穿。


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